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IXFH20N60

IXFH20N60
Mfr. #:
IXFH20N60
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 600V 20A
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFH20N60 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
IXYS
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Serie
IXFH20N60
Verpackung
Rohr
Gewichtseinheit
0.229281 oz
Montageart
Durchgangsloch
Handelsname
HyperFET
Paket-Koffer
TO-247-3
Technologie
Si
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Aufbau
Single
Transistor-Typ
1 N-Channel
Pd-Verlustleistung
300 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
40 ns
Anstiegszeit
43 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
20 V
ID-Dauer-Drain-Strom
20 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
600 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
350 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
70 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
20 ns
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
18 S
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
IXFH20N6, IXFH20N, IXFH20, IXFH2, IXFH, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
***ark
MOSFET, N, TO-247; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:600V; Current, Id Cont:20A; Resistance, Rds On:0.35ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4.5V; Case Style:TO-247; Termination ;RoHS Compliant: Yes
***ment14 APAC
MOSFET, N, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):350mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.5V; Power Dissipation Pd:300W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; Current Id Max:20A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; N-channel Gate Charge:151nC; No. of Transistors:1; On State Resistance Max:350mohm; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Pd:300W; Power Dissipation Pd:300W; Pulse Current Idm:60A; Rate of Voltage Change dv / dt:5V/ns; Repetitive Avalanche Energy Max:30mJ; Reverse Recovery Time trr Typ:250ns; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4.5V; Weight:6g
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFH20N60
DISTI # IXFH20N60-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IXFH20N60Q
    DISTI # IXFH20N60Q-ND    		IXYS CorporationMOSFET N-CH 600V 20A TO-247
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 30
    Container: Tube    		Limited Supply - Call
      IXFH20N60
      DISTI # 747-IXFH20N60      		IXYS CorporationMOSFET 600V 20A
      RoHS: Compliant      		0
        IXFH20N60Q
        DISTI # 747-IXFH20N60Q        		IXYS CorporationMOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds
        RoHS: Compliant        		0
          IXFH20N60IXYS Corporation 16
            IXFH20N60IXYS CorporationMOSFET Transistor, N-Channel, TO-247AD73
            • 31:$5.8110
            • 4:$6.7050
            • 1:$13.4100
            IXFH20N60IXYS CorporationMOSFET Transistor, N-Channel, TO-247AD7
            • 4:$6.7050
            • 2:$8.9400
            • 1:$13.4100
            IXFH20N60IXYS CorporationINSTOCK100
              Bild Teil # Beschreibung
              IXFH22N60P3

              Mfr.#: IXFH22N60P3

              OMO.#: OMO-IXFH22N60P3

              		 MOSFET 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
              IXFH12N100F

              Mfr.#: IXFH12N100F

              OMO.#: OMO-IXFH12N100F

              		 MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds
              IXFH12N120P

              Mfr.#: IXFH12N120P

              OMO.#: OMO-IXFH12N120P

              		 MOSFET 12 Amps 1200V 1.15 Rds
              IXFH30N60P

              Mfr.#: IXFH30N60P

              OMO.#: OMO-IXFH30N60P

              		 MOSFET 600V 30A
              IXFH120N15P

              Mfr.#: IXFH120N15P

              OMO.#: OMO-IXFH120N15P

              		 MOSFET 120 Amps 150V 0.016 Rds
              IXFH20N60D

              Mfr.#: IXFH20N60D

              OMO.#: OMO-IXFH20N60D-1190

              		 Neu und Original
              IXFH40N50Q2

              Mfr.#: IXFH40N50Q2

              OMO.#: OMO-IXFH40N50Q2-IXYS-CORPORATION

              		 MOSFET N-CH 500V 40A TO-247
              IXFH42N20P

              Mfr.#: IXFH42N20P

              OMO.#: OMO-IXFH42N20P-1190

              		 Neu und Original
              IXFH80N06

              Mfr.#: IXFH80N06

              OMO.#: OMO-IXFH80N06-IXYS-CORPORATION

              		 MOSFET N-CH 60V 80A TO-247
              IXFH20N60Q

              Mfr.#: IXFH20N60Q

              OMO.#: OMO-IXFH20N60Q-IXYS-CORPORATION

              		 MOSFET 20 Amps 600V 0.35 Rds
              Verfügbarkeit
              Aktie:
              Available
              Auf Bestellung:
              5000
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              Der aktuelle Preis von IXFH20N60 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
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              1
              8,72 $
              8,72 $
              10
              8,28 $
              82,81 $
              100
              7,84 $
              784,49 $
              500
              7,41 $
              3 704,50 $
              1000
              6,97 $
              6 973,20 $
              Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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