IXFH12N120P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.2 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

12 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.35 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

6.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

103 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

543 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

21.46 mm

Länge:

16.26 mm

Serie:

IXFH12N120

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Polar Leistungs-MOSFET HiPerFET

Breite:

5.3 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

5 S

Abfallzeit:

34 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

25 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

62 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

34 ns

Gewichtseinheit:

0.229281 oz

Tags

IXFH12N12, IXFH12N1, IXFH12N, IXFH12, IXFH1, IXFH, IXF