SIA426DJ-T1-GE3

SIA426DJ-T1-GE3
Mfr. #:
SIA426DJ-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIA426DJ-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Digi-ReelR Alternative Verpackung
Teil-Aliasnamen
SIA426DJ-GE3
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
PowerPAKR SC-70-6
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
PowerPAKR SC-70-6 Single
Aufbau
Single Quad Drain Dual Source
FET-Typ
MOSFET N-Kanal, Metalloxid
Leistung max
19W
Transistor-Typ
1 N-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
20V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
1020pF @ 10V
FET-Funktion
Standard
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
4.5A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
23.6 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs-th-Max-Id
1.5V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
27nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
3.5 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
11 ns
Anstiegszeit
11 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
12 V
ID-Dauer-Drain-Strom
4.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
20 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
23.6 mOhms
Transistor-Polarität
N-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
27 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
12 ns
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SIA426, SIA42, SIA4, SIA
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ure Electronics
N-Channel 20 V 23.6 mO 27 nC SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L
***et
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
***i-Key
MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:4500mA; Drain Source Voltage, Vds:20V; On Resistance, Rds(on):0.0361ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.5V; Power Dissipation, Pd:3.5W ;RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SIA426DJ-T1-GE3
DISTI # SIA426DJ-T1-GE3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SIA426DJ-T1-GE3
    DISTI # SIA426DJ-T1-GE3CT-ND
    Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)
    Limited Supply - Call
      SIA426DJ-T1-GE3
      DISTI # SIA426DJ-T1-GE3DKR-ND
      Vishay SiliconixMOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®
      Limited Supply - Call
        SIA426DJ-T1-GE3
        DISTI # 16P3617
        Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 20V, 4.5A, SC-70, FULL REEL,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:4.5A,Drain Source Voltage Vds:20V,On Resistance Rds(on):0.0361ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:12V,Threshold Voltage Vgs:1.5V RoHS Compliant: Yes0
          SIA426DJ-T1-GE3
          DISTI # 781-SIA426DJ-T1-GE3
          Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
          RoHS: Compliant
          0
            Bild Teil # Beschreibung
            SIA426DJ-T1-GE3

            Mfr.#: SIA426DJ-T1-GE3

            OMO.#: OMO-SIA426DJ-T1-GE3

            MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
            SIA426DJ

            Mfr.#: SIA426DJ

            OMO.#: OMO-SIA426DJ-1190

            Neu und Original
            SIA426DJ-T1-GE3

            Mfr.#: SIA426DJ-T1-GE3

            OMO.#: OMO-SIA426DJ-T1-GE3-VISHAY

            MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
            SIA426DJT1GE3

            Mfr.#: SIA426DJT1GE3

            OMO.#: OMO-SIA426DJT1GE3-1190

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            0,00 $
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