SIHB30N60E-E3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

29 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

125 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.8 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

85 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

250 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Serie:

E

Marke:

Vishay / Siliconix

Abfallzeit:

36 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

32 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

63 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

19 ns

Gewichtseinheit:

0.050717 oz

Tags

SIHB30N60E, SIHB30, SIHB3, SIHB, SIH