IXTY44N10T-TRL

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

Diskrete Halbleitermodule

RoHS:

Y

Produkt:

Leistungs-MOSFET-Module

Typ:

Graben

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Verpackung:

Spule

Aufbau:

Single

Marke:

IXYS

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Abfallzeit:

32 ns

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

44 A

Pd - Verlustleistung:

130 W

Produktart:

Diskrete Halbleitermodule

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

30 mOhms

Anstiegszeit:

47 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Diskrete Halbleitermodule

Handelsname:

Graben

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

36 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

21 ns

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Tags

IXTY4, IXTY, IXT