D3S099N65E-T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

D3 Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

31.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

99 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

77 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

154 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

D3

Abfallzeit:

23 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

24 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

90 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

17 ns

Tags

D3S09, D3S0, D3S