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SI3951DV-T1-GE3

SI3951DV-T1-GE3
Mfr. #:
SI3951DV-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 2.7A 2.0W 115mohm @ 4.5V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI3951DV-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
SI3951DV-T1-GE3 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
Vishay Siliconix
Produktkategorie
FETs - Arrays
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Band & Spule (TR)
Teil-Aliasnamen
SI3951DV-GE3
Gewichtseinheit
0.000705 oz
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
2 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
6-TSOP
Aufbau
Dual
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
Leistung max
2W
Transistor-Typ
2 P-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
20V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
250pF @ 10V
FET-Funktion
Logik-Level-Gate
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
2.7A
Rds-On-Max-Id-Vgs
115 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
1.5V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
5.1nC @ 5V
Pd-Verlustleistung
1.14 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Vgs-Gate-Source-Spannung
12 V
ID-Dauer-Drain-Strom
2.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 20 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
115 mOhms
Transistor-Polarität
P-Kanal
Tags
SI3951D, SI3951, SI395, SI39, SI3
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Transistor MOSFET Array Dual P-Channel 20V 2.5A 6-Pin TSOP T/R
***nell
DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 2.7A
***ment14 APAC
DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 2.7A; Trans; DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 2.7A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id, P Channel:-2.5A; Drain Source Voltage Vds, P Channel:-20V; On Resistance Rds(on), P Channel:0.092ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V
Si3 MOSFETs
Vishay/Siliconix Si3 MOSFETs are a TrenchFET® power MOSFETs operate in an enhancement mode. These Si3 MOSFETs are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel with ultra-low RDS(ON) for high-efficiency. These MOSFETs are also available in different VGS and VDS ranges. The Si3 MOSFETs incorporate Si technology and operate at a temperature ranging from -55ºC to 150ºC. These MOSFETs are a surface mount, 100% Rg and UIS tested, and comes in a reel-package.Learn More
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI3951DV-T1-GE3
DISTI # SI3951DV-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 3000:$0.3669
SI3951DV-T1-GE3
DISTI # SI3951DV-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 2.5A 6-Pin TSOP T/R - Tape and Reel (Alt: SI3951DV-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: Reel		Americas - 0
  • 3000:$0.3339
  • 6000:$0.3239
  • 12000:$0.3109
  • 18000:$0.3029
  • 30000:$0.2939
SI3951DV-T1-GE3
DISTI # 781-SI3951DV-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 20V 2.7A 2.0W 115mohm @ 4.5V
RoHS: Compliant		0
  • 3000:$0.3340
  • 6000:$0.3110
  • 9000:$0.3000
  • 24000:$0.2880
SI3951DV-T1-GE3. 57
    Bild Teil # Beschreibung
    SI3951DV-T1-GE3

    Mfr.#: SI3951DV-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI3951DV-T1-GE3

    		 MOSFET 20V 2.7A 2.0W 115mohm @ 4.5V
    SI3951DV-T1-E3

    Mfr.#: SI3951DV-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI3951DV-T1-E3

    		 MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI3993CDV-T1-GE3
    SI3951DV-T1-GE3

    Mfr.#: SI3951DV-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI3951DV-T1-GE3-VISHAY

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET 20V 2.7A 2.0W 115mohm @ 4.5V
    SI3951DV

    Mfr.#: SI3951DV

    OMO.#: OMO-SI3951DV-1190

    		 Neu und Original
    SI3951DV-T1-E3

    Mfr.#: SI3951DV-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI3951DV-T1-E3-VISHAY

    		 MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    4000
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    0,43 $
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    100
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    38,88 $
    500
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