TSM190N08CZ C0G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

75 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

190 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

160 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

250 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Transistortyp:

75 V

Marke:

Taiwan Halbleiter

Abfallzeit:

45 ns

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

85 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

TSM19, TSM1, TSM