IXFK20N120P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-264-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.2 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

20 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

570 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

6.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

193 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

780 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

26.16 mm

Länge:

19.96 mm

Serie:

IXFK20N120

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Polar Leistungs-MOSFET HiPerFET

Breite:

5.13 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

10 S

Abfallzeit:

70 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

45 ns

Werkspackungsmenge:

25

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

72 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

49 ns

Gewichtseinheit:

0.352740 oz

Tags

IXFK20N, IXFK20, IXFK2, IXFK, IXF