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IXTY02N120P-TRL

IXTY02N120P-TRL
Mfr. #:
IXTY02N120P-TRL
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
Discrete Semiconductor Modules Polar Power MOSFET
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXTY02N120P-TRL Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
Diskrete Halbleitermodule
RoHS:
Y
Produkt:
Leistungs-MOSFET-Module
Typ:
Polar
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-252-3
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Verpackung:
Spule
Aufbau:
Single
Marke:
IXYS
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Abfallzeit:
39 ns
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
0.2 A
Pd - Verlustleistung:
33 W
Produktart:
Diskrete Halbleitermodule
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
75 Ohms
Anstiegszeit:
10 ns
Werkspackungsmenge:
2500
Unterkategorie:
Diskrete Halbleitermodule
Handelsname:
Polar
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
21 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
6 ns
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
1200 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
2 V
Tags
IXTY02N1, IXTY02, IXTY0, IXTY, IXT
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Packaging Boxes
Bild Teil # Beschreibung
IXTY02N120P-TRL

Mfr.#: IXTY02N120P-TRL

OMO.#: OMO-IXTY02N120P-TRL

 Discrete Semiconductor Modules Polar Power MOSFET
IXTY02N50D

Mfr.#: IXTY02N50D

OMO.#: OMO-IXTY02N50D

 MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds
IXTY02N50D_TRL

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OMO.#: OMO-IXTY02N50D-TRL

 MOSFET 0.2 A 500V 30 Rds
IXTY02N120P

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 MOSFET 0.2Amps 1200V
IXTY02N50

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OMO.#: OMO-IXTY02N50-1190

 Neu und Original
IXTY02N120P TRL

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 Neu und Original
IXTY02N50D TRL

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OMO.#: OMO-IXTY02N50D-TRL-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH
IXTY02N50D_TRL

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 MOSFET 0.2 A 500V 30 Rds
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 IGBT Transistors MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds
IXTY02N120P

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 MOSFET 0.2Amps 1200V
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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1
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1,89 $
10
1,71 $
17,10 $
25
1,48 $
37,00 $
50
1,39 $
69,50 $
100
1,37 $
137,00 $
250
1,11 $
277,50 $
500
1,07 $
535,00 $
1000
0,88 $
883,00 $
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