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IXFH18N60X

IXFH18N60X
Mfr. #:
IXFH18N60X
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET DISCMSFT NCH ULTRJNCTN XCLASS
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFH18N60X Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFH18N60X DatasheetIXFH18N60X Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IXFH18N60X Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-247-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
18 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
230 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
2.5 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
35 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
320 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HiPerFET
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
IXYS
Abfallzeit:
24 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
30 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
63 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
20 ns
Tags
IXFH18N6, IXFH18N, IXFH18, IXFH1, IXFH, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 600V 18A TO247
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFH18N60X
DISTI # IXFH18N60X-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 600V 18A TO-247
RoHS: Compliant
Min Qty: 60
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 60:$5.9040
Bild Teil # Beschreibung
IXFH12N100P

Mfr.#: IXFH12N100P

OMO.#: OMO-IXFH12N100P

 MOSFET 12 Amps 1000V
IXFH14N80P

Mfr.#: IXFH14N80P

OMO.#: OMO-IXFH14N80P

 MOSFET DIODE Id14 BVdass800
IXFH102N15T

Mfr.#: IXFH102N15T

OMO.#: OMO-IXFH102N15T

 MOSFET 102 Amps 0V
IXFH18N65X2

Mfr.#: IXFH18N65X2

OMO.#: OMO-IXFH18N65X2

 MOSFET 650V/18A TO-247
IXFH102N15T

Mfr.#: IXFH102N15T

OMO.#: OMO-IXFH102N15T-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 150V 102A TO-247
IXFH14N60

Mfr.#: IXFH14N60

OMO.#: OMO-IXFH14N60-1190

 Neu und Original
IXFH18N60P

Mfr.#: IXFH18N60P

OMO.#: OMO-IXFH18N60P-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
IXFH150N25X3

Mfr.#: IXFH150N25X3

OMO.#: OMO-IXFH150N25X3-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 250V 150A TO247
IXFH110N10P

Mfr.#: IXFH110N10P

OMO.#: OMO-IXFH110N10P-IXYS-CORPORATION

 Darlington Transistors MOSFET 110 Amps 100V 0.015 Rds
IXFH18N90P

Mfr.#: IXFH18N90P

OMO.#: OMO-IXFH18N90P-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
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Available
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1
9,26 $
9,26 $
10
8,28 $
82,80 $
25
7,20 $
180,00 $
50
7,06 $
353,00 $
100
6,79 $
679,00 $
250
5,80 $
1 450,00 $
500
5,50 $
2 750,00 $
1000
4,64 $
4 640,00 $
2500
3,97 $
9 925,00 $
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