IXTT500N04T2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-268-3

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

500 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

405 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

1 kW

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

5.1 mm

Länge:

14 mm

Serie:

IXTT500N04

Typ:

TrenchT2 Power MOSFET

Breite:

16.05 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

75 S

Abfallzeit:

44 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

16 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

68 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

37 ns

Gewichtseinheit:

0.229281 oz

Tags

IXTT50, IXTT5, IXTT, IXT