IPD13N03LA G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

30 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

21.9 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

46 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.3 mm

Länge:

6.5 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

36 S / 18 S

Abfallzeit:

2.6 ns

Feuchtigkeitsempfindlich:

ja

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.6 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.4 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IPD13N03LAG, IPD13N03, IPD13N0, IPD13N, IPD13, IPD1, IPD