NTY100N10G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-264-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

123 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

313 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

26.4 mm

Länge:

20.3 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.3 mm

Marke:

ON Semiconductor

Abfallzeit:

250 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

150 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

340 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

30 ns

Tags

NTY100, NTY1, NTY