IPB60R600C6ATMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

540 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

20.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

63 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

CoolMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.4 mm

Länge:

10 mm

Serie:

CoolMOS C6

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

13 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

9 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

80 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Teil # Aliase:

IPB60R600C6ATMA1 SP000660626

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IPB60R600C, IPB60R6, IPB60R, IPB60, IPB6, IPB