NDT452P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-223-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

180 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

3 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Höhe:

1.8 mm

Länge:

6.5 mm

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

3.5 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

15 ns

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

25 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8 ns

Gewichtseinheit:

0.003951 oz

Tags

NDT452, NDT45, NDT4, NDT