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SIA415DJ-T1-GE3

SIA415DJ-T1-GE3
Mfr. #:
SIA415DJ-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET 20V 12A 19W 35mohm @ 4.5V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIA415DJ-T1-GE3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
FETs - Einzeln
Serie
GrabenFETR
Verpackung
Digi-ReelR Alternative Verpackung
Teil-Aliasnamen
SIA415DJ-GE3
Montageart
SMD/SMT
Paket-Koffer
PowerPAKR SC-70-6
Technologie
Si
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Oberflächenmontage
Anzahl der Kanäle
1 Channel
Lieferanten-Geräte-Paket
PowerPAKR SC-70-6 Single
Aufbau
Single
FET-Typ
MOSFET P-Kanal, Metalloxid
Leistung max
19W
Transistor-Typ
1 P-Channel
Drain-zu-Source-Spannung-Vdss
20V
Eingangskapazität-Ciss-Vds
1250pF @ 10V
FET-Funktion
Standard
Strom-Dauer-Drain-Id-25°C
12A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
35 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs-th-Max-Id
1.5V @ 250μA
Gate-Lade-Qg-Vgs
47nC @ 10V
Pd-Verlustleistung
19 W
Maximale-Betriebstemperatur
+ 150 C
Mindest-Betriebstemperatur
- 55 C
Abfallzeit
20 ns
Anstiegszeit
50 ns
Vgs-Gate-Source-Spannung
12 V
ID-Dauer-Drain-Strom
12 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
- 20 V
Rds-On-Drain-Source-Widerstand
35 mOhms
Transistor-Polarität
P-Kanal
Typische-Ausschaltverzögerungszeit
45 ns
Typische-Einschaltverzögerungszeit
25 ns
Vorwärts-Transkonduktanz-Min
20 S
Kanal-Modus
Erweiterung
Tags
SIA415, SIA41, SIA4, SIA
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
SiA415DJ Series P-Channel 20 V 0.035 Ohms SMT Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L
***et
Trans MOSFET P-CH 20V 8.4A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
***ronik
P-CHANNEL-FET12 A 20V PP-SC70-6 RoHSconf
***ment14 APAC
P CHANNEL MOSFET, -20V, 12A, SC-70; Tran; P CHANNEL MOSFET, -20V, 12A, SC-70; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-12A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):51mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:12V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.5V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SIA415DJ-T1-GE3
DISTI # V72:2272_09216827		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 8.4A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
RoHS: Compliant		2980
  • 75000:$0.3001
  • 30000:$0.3061
  • 15000:$0.3120
  • 6000:$0.3179
  • 3000:$0.3533
  • 1000:$0.3925
  • 500:$0.4274
  • 250:$0.4869
  • 100:$0.4919
  • 50:$0.5397
  • 25:$0.5603
  • 10:$0.6225
  • 1:$0.7260
SIA415DJ-T1-GE3
DISTI # SIA415DJ-T1-GE3TR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		9000In Stock
  • 3000:$0.4004
SIA415DJ-T1-GE3
DISTI # SIA415DJ-T1-GE3CT-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)		731In Stock
  • 500:$0.5597
  • 100:$0.7217
  • 10:$0.9130
  • 1:$1.0300
SIA415DJ-T1-GE3
DISTI # SIA415DJ-T1-GE3DKR-ND		Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®		Limited Supply - Call
    SIA415DJ-T1-GE3
    DISTI # 25790298    		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET P-CH 20V 8.4A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
    RoHS: Compliant    		2980
    • 1000:$0.3937
    • 500:$0.4274
    • 250:$0.4869
    • 100:$0.4919
    • 50:$0.5429
    • 25:$0.5603
    • 20:$0.6225
    SIA415DJ-T1-GE3
    DISTI # 16P3613    		Vishay IntertechnologiesP CHANNEL MOSFET, -20V, 12A, SC-70,Transistor Polarity:P Channel,Continuous Drain Current Id:-12A,Drain Source Voltage Vds:-20V,On Resistance Rds(on):0.051ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:12V,Threshold Voltage Vgs:-1.5V RoHS Compliant: Yes0
      SIA415DJ-T1-GE3
      DISTI # 781-SIA415DJ-T1-GE3      		Vishay IntertechnologiesMOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70-6L
      RoHS: Compliant      		0
        SIA415DJ-T1-GE3
        DISTI # C1S803601730428        		Vishay IntertechnologiesMOSFETs
        RoHS: Compliant        		2980
        • 100:$0.4919
        • 50:$0.5429
        • 25:$0.5603
        • 10:$0.6225
        Bild Teil # Beschreibung
        SIA415DJ-T1-GE3

        Mfr.#: SIA415DJ-T1-GE3

        OMO.#: OMO-SIA415DJ-T1-GE3-VISHAY

        		 IGBT Transistors MOSFET 20V 12A 19W 35mohm @ 4.5V
        SIA415DJ-T1-GE3-CUT TAPE

        Mfr.#: SIA415DJ-T1-GE3-CUT TAPE

        OMO.#: OMO-SIA415DJ-T1-GE3-CUT-TAPE-1190

        		 Neu und Original
        SIA415DJ-E3

        Mfr.#: SIA415DJ-E3

        OMO.#: OMO-SIA415DJ-E3-1190

        		 Neu und Original
        Verfügbarkeit
        Aktie:
        Available
        Auf Bestellung:
        2500
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        Referenzpreis (USD)
        Menge
        Stückpreis
        ext. Preis
        1
        0,45 $
        0,45 $
        10
        0,43 $
        4,28 $
        100
        0,41 $
        40,51 $
        500
        0,38 $
        191,30 $
        1000
        0,36 $
        360,10 $
        Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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