A2T08VD021NT1

A2T08VD021NT1
Mfr. #:
A2T08VD021NT1
Hersteller:
NXP Semiconductors
Beschreibung:
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728 960 MHz, 2 W Avg., 48 V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
A2T08VD021NT1 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
A2T08VD021NT1 Mehr Informationen A2T08VD021NT1 Product Details
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
NXP
Produktkategorie:
HF-MOSFET-Transistoren
RoHS:
Y
Polarität des Transistors:
Dualer N-Kanal
Technologie:
Si
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
80 mA
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
- 500 mV, 105 V
Gewinnen:
19.1 dB
Ausgangsleistung:
2 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
PQFN-24
Verpackung:
Spule
Arbeitsfrequenz:
728 MHz to 960 MHz
Typ:
HF-Leistungs-MOSFET
Marke:
NXP Semiconductors
Anzahl der Kanäle:
2 Channel
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
HF-MOSFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
1000
Unterkategorie:
MOSFETs
Vgs - Gate-Source-Spannung:
- 6 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
1.3 V
Teil # Aliase:
935361777528
Tags
A2T0, A2T
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Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
A2T08VD021NT1
DISTI # A2T08VD021NT1-ND
NXP SemiconductorsAF3IC 800MHZ 20W PQFN8X8
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 1000:$12.3690
A2T08VD021NT1
DISTI # A2T08VD021NT1
Avnet, Inc.AF3IC 800MHZ 20W PQFN8X8 - Tape and Reel (Alt: A2T08VD021NT1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Reel
Americas - 0
  • 10000:$11.7900
  • 6000:$11.9900
  • 4000:$12.4900
  • 2000:$12.9900
  • 1000:$13.4900
A2T08VD021NT1
DISTI # 47AC8091
NXP SemiconductorsAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 728 960 MHZ, 2 W AVG., 48 V REEL 13" Q2 DP0
  • 500:$12.0900
  • 250:$12.4700
  • 100:$14.2300
  • 50:$15.0700
  • 25:$16.7400
  • 10:$17.2100
  • 1:$18.4200
A2T08VD021NT1
DISTI # 771-A2T08VD021NT1
NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors A2T08VD021N/HQFN24///REEL 13 Q2 DP
RoHS: Compliant
0
  • 1000:$12.3700
A2T08VD021NT1
DISTI # A2T08VD021NT1
NXP SemiconductorsRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant
0
  • 1000:$15.8100
Bild Teil # Beschreibung
A2T08VD020NT1

Mfr.#: A2T08VD020NT1

OMO.#: OMO-A2T08VD020NT1

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 2 W Avg., 48 V
A2T08VD021NT1

Mfr.#: A2T08VD021NT1

OMO.#: OMO-A2T08VD021NT1

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728 960 MHz, 2 W Avg., 48 V
A2T08VD020NT1

Mfr.#: A2T08VD020NT1

OMO.#: OMO-A2T08VD020NT1-NXP-SEMICONDUCTORS

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T08VD021NT1

Mfr.#: A2T08VD021NT1

OMO.#: OMO-A2T08VD021NT1-NXP-SEMICONDUCTORS

AF3IC 800MHZ 20W PQFN8X8
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Auf Bestellung:
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