SIA436DJ-T4-GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SC-70-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

8 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

12 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

9.4 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

0.35 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

5 V

Qg - Gate-Ladung:

25.2 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

19 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

TrenchFET, PowerPAK

Verpackung:

Spule

Serie:

SIA

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

70 S

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

10 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

30 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Tags

SIA436, SIA43, SIA4, SIA