SI5499DCT1E3

SI5499DCT1E3
Mfr. #:
SI5499DCT1E3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Beschreibung:
Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 8V, 0.036ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SI5499DCT1E3 Datenblatt
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SI549, SI54, SI5
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Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SI5499DC-T1-E3
DISTI # SI5499DC-T1-E3TR-ND
Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    SI5499DC-T1-E3
    DISTI # SI5499DC-T1-E3CT-ND
    Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)
    Limited Supply - Call
      SI5499DC-T1-E3
      DISTI # SI5499DC-T1-E3DKR-ND
      Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®
      Limited Supply - Call
        SI5499DC-T1-E3Vishay Intertechnologies 3000
          SI5499DCT1E3Vishay SiliconixPower Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 8V, 0.036ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
          RoHS: Compliant
          2750
            Bild Teil # Beschreibung
            SI5499DC-T1

            Mfr.#: SI5499DC-T1

            OMO.#: OMO-SI5499DC-T1-1190

            Neu und Original
            SI5499DCT1E3

            Mfr.#: SI5499DCT1E3

            OMO.#: OMO-SI5499DCT1E3-1190

            Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 8V, 0.036ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
            SI5499DC-T1-E3

            Mfr.#: SI5499DC-T1-E3

            OMO.#: OMO-SI5499DC-T1-E3-VISHAY

            MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
            SI5499DC-T1-GE3

            Mfr.#: SI5499DC-T1-GE3

            OMO.#: OMO-SI5499DC-T1-GE3-VISHAY

            MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
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            0,00 $
            500
            0,00 $
            0,00 $
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