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SSM3K357R,LF

SSM3K357R,LF
Mfr. #:
SSM3K357R,LF
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SSM3K357R,LF Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SSM3K357R,LF DatasheetSSM3K357R,LF Datasheet (P4-P6)SSM3K357R,LF Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
SSM3K357R,LF Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SOT-23F-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
60 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
650 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
1.8 Ohms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
1.3 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
12 V
Qg - Gate-Ladung:
1.5 nC
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
1.5 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Verpackung:
Spule
Serie:
SSM3K357R
Marke:
Toshiba
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
500 mS
Produktart:
MOSFET
Werkspackungsmenge:
3000
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
3000 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
990 ns
Tags
SSM3K35, SSM3K3, SSM3K, SSM3, SSM
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Packaging Boxes
SSM6N357R & SSM3K357R Low ON-Resistance MOSFETs
SSM6N357R & SSM3K357R Low ON-Resistance MOSFETs are silicon N-channel MOSFETs designed for relay driver applications. The SSM6N357R,LF comes with 2 channels whereas the SSM3K357R,LF comes with a single channel. These MOSFETs feature 3V gate drive voltage, built-in internal zener diodes, resistors, and 2kV class Human Body Model (HBM). The low ON-resistance MOSFETs offer 60V drain-source voltage, ±12V gate-source voltage, 150°C channel temperature, and 12.6mJ single-pulse avalanche energy. 
SSM3 High Current MOSFETs
Toshiba SSM3 High Current MOSFETs provide a high drain current rating, low capacitance, low on-resistance, and fast switching. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are semiconductor devices used for switching and amplifying electronic signals in electronic devices. Applications include mobile devices (wearable device, smart phone, tablet PC, etc.), load switches, DC-DC converters, and general purpose switches. 
Bild Teil # Beschreibung
INA821ID

Mfr.#: INA821ID

OMO.#: OMO-INA821ID

 Instrumentation Amplifiers Precision Low Power INA
OPA2196IDGKR

Mfr.#: OPA2196IDGKR

OMO.#: OMO-OPA2196IDGKR

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LDL1117S33R

Mfr.#: LDL1117S33R

OMO.#: OMO-LDL1117S33R

 LDO Voltage Regulators POWER MANAGEMENT
PG164140

Mfr.#: PG164140

OMO.#: OMO-PG164140

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C1005X5R1V105K050BE

Mfr.#: C1005X5R1V105K050BE

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 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 35V 1.00uF X5R 10% Soft Term
ISO1410DWEVM

Mfr.#: ISO1410DWEVM

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LDL1117S33R

Mfr.#: LDL1117S33R

OMO.#: OMO-LDL1117S33R-STMICROELECTRONICS

 IC REG LINEAR 3.3V 1.2A SOT223
LMZM23600V5SILT

Mfr.#: LMZM23600V5SILT

OMO.#: OMO-LMZM23600V5SILT-TEXAS-INSTRUMENTS

 6-V, 0.5-A Step-Down DC/DC Power Module
INA821ID

Mfr.#: INA821ID

OMO.#: OMO-INA821ID-TEXAS-INSTRUMENTS

 OFFSET, 7-NV HZ NOISE, LO
ISO1410DW

Mfr.#: ISO1410DW

OMO.#: OMO-ISO1410DW-TEXAS-INSTRUMENTS

 INTERFACE TX/RX/TXRX CAN
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1985
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16,10 $
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