QPD1025

QPD1025
Mfr. #:
QPD1025
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF MOSFET Transistors 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
QPD1025 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-MOSFET-Transistoren
RoHS:
Y
Polarität des Transistors:
Dualer N-Kanal
Technologie:
GaN SiC
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
28 A
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
65 V
Gewinnen:
22.5 dB
Ausgangsleistung:
1.862 kW
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Paket / Koffer:
NI-1230-4
Verpackung:
Tablett
Arbeitsfrequenz:
1 GHz to 1.1 GHz
Serie:
QPD
Typ:
HF-Leistungs-MOSFET
Marke:
Qorvo
Anzahl der Kanäle:
2 Channel
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Pd - Verlustleistung:
685 W
Produktart:
HF-MOSFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
18
Unterkategorie:
MOSFETs
Vgs - Gate-Source-Spannung:
- 2.8 V
Tags
QPD102, QPD10, QPD1, QPD
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QPD1025 & QPD1025L RF Input-Matched Transistors
Qorvo QPD1025 and QPD1025L RF Input-Matched Transistors are discrete GaN on SiC High Electron Mobility Transistors (HEMT) that have an operating frequency range of 1.0GHz to 1.1GHz. These transistors feature 22.5dB linear gain, 1800W output power, 65V operating voltage, and support both pulse and CW operations. The QPD1025 and QPD1025L transistors are available in industry standard air cavity packages and are ideal for IFF transponders, avionics, and test instrumentation.
Bild Teil # Beschreibung
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Mfr.#: QPD1011SR

OMO.#: OMO-QPD1011SR

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Mfr.#: QPD-100-15

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Mfr.#: QPDF-150-12

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Mfr.#: QPD-150-12

OMO.#: OMO-QPD-150-12-QUALTEK

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Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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