QPD1011SR

QPD1011SR
Mfr. #:
QPD1011SR
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors .03-1.2GHz 7W 50V GaN
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
QPD1011SR Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
HEMT
Technologie:
GaN SiC
Gewinnen:
21 dB
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
50 V
Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:
145 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
1.46 A
Ausgangsleistung:
8.7 W
Maximale Drain-Gate-Spannung:
55 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Pd - Verlustleistung:
13 W
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SMD-8
Verpackung:
Spule
Arbeitsfrequenz:
30 MHz to 1200 MHz
Serie:
QPD1011
Marke:
Qorvo
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
-
Entwicklungs-Kit:
QPD1011EVB01
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
100
Unterkategorie:
Transistoren
Teil # Aliase:
QPD1011
Tags
QPD101, QPD10, QPD1, QPD
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QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
Bild Teil # Beschreibung
QPD1018

Mfr.#: QPD1018

OMO.#: OMO-QPD1018

RF JFET Transistors 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
QPD1000

Mfr.#: QPD1000

OMO.#: OMO-QPD1000

RF JFET Transistors 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
QPD1003

Mfr.#: QPD1003

OMO.#: OMO-QPD1003

RF JFET Transistors 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
QPD1013SR

Mfr.#: QPD1013SR

OMO.#: OMO-QPD1013SR

RF JFET Transistors DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
QPD1017

Mfr.#: QPD1017

OMO.#: OMO-QPD1017

RF JFET Transistors 500 Watt, 50 Volt, 3.1 - 3.5 GHz, GaN RF IMFET
QPD1022SR

Mfr.#: QPD1022SR

OMO.#: OMO-QPD1022SR

RF JFET Transistors DC-12GHz 10W 32V GaN
QPD1019

Mfr.#: QPD1019

OMO.#: OMO-QPD1019

RF JFET Transistors 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
QPD1003

Mfr.#: QPD1003

OMO.#: OMO-QPD1003-RFMD

RF TRANSISTOR
QPD1004SR

Mfr.#: QPD1004SR

OMO.#: OMO-QPD1004SR-1152

RF JFET Transistors .03-1.2GHz 25W 50V GaN
QPD1009

Mfr.#: QPD1009

OMO.#: OMO-QPD1009-318

RF JFET Transistors DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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