KSH350TM

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

E

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 300 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 300 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 3 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.5 A

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

240

Höhe:

2.3 mm

Länge:

6.6 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

6.1 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 0.5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

30

Pd - Verlustleistung:

15 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.063493 oz

Tags

KSH35, KSH3, KSH