KSD1691YSTSTU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-126-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

60 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

60 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.1 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

5 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

KSD1691

DC-Stromverstärkung hFE Max:

400

Höhe:

1.5 mm

Länge:

8 mm

Verpackung:

Rohr

Breite:

3.25 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

5 A

Pd - Verlustleistung:

1300 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

60

Unterkategorie:

Transistoren

Teil # Aliase:

KSD1691YSTSTU_NL

Gewichtseinheit:

0.026738 oz

Tags

KSD1691YS, KSD1691Y, KSD1691, KSD169, KSD16, KSD1, KSD