IPB017N06N3GXT

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-7

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

180 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.3 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

275 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

250 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.4 mm

Länge:

10 mm

Serie:

OptiMOS 3

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

OptiMOS 3 Power-Transistor

Breite:

9.25 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

99 S

Abfallzeit:

24 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

80 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

79 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

41 ns

Teil # Aliase:

G IPB017N06N3 IPB017N06N3GATMA1 SP000434404

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IPB017N06N3, IPB017N06, IPB017N0, IPB017, IPB01, IPB0, IPB