A2T21S260W12NR3

A2T21S260W12NR3
Mfr. #:
A2T21S260W12NR3
Hersteller:
NXP / Freescale
Beschreibung:
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 56 W Avg., 28 V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
A2T21S260W12NR3 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
NXP
Produktkategorie:
HF-MOSFET-Transistoren
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Technologie:
Si
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
3.2 A
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
- 500 mV, 65 V
Gewinnen:
17.9 dB
Ausgangsleistung:
56 W
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 125 C
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
OM-880X-2L2L
Verpackung:
Spule
Arbeitsfrequenz:
2110 MHz to 2200 MHz
Typ:
HF-Leistungs-MOSFET
Marke:
NXP / Freescale
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Produktart:
HF-MOSFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
250
Unterkategorie:
MOSFETs
Vgs - Gate-Source-Spannung:
- 6 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
1.2 V
Teil # Aliase:
935339757528
Gewichtseinheit:
0.134366 oz
Tags
A2T21S2, A2T21S, A2T21, A2T2, A2T
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
*** Semiconductors SCT
Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 56 W Avg., 28 V, FM4F, RoHS
***el Electronic
IC POT DGTL 32-TAP NV SOT23-8
***i-Key
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
***et
2.1Hz 260W OM880-2L2L
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
A2T21S260W12NR3
DISTI # A2T21S260W12NR3-ND
NXP SemiconductorsAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
RoHS: Compliant
Min Qty: 250
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 250:$67.6754
A2T21S260W12NR3
DISTI # A2T21S260W12NR3
Avnet, Inc.2.1Hz 260W OM880-2L2L - Tape and Reel (Alt: A2T21S260W12NR3)
RoHS: Compliant
Min Qty: 250
Container: Reel
Americas - 0
  • 2500:$64.6900
  • 1500:$65.8900
  • 1000:$68.3900
  • 500:$71.1900
  • 250:$74.0900
A2T21S260W12NR3
DISTI # 841-A2T21S260W12NR3
NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors A2T21S260W12N/FM4F///REEL 13 Q2 DP0
  • 250:$66.1600
A2T21S260W12NR3
DISTI # A2T21S260W12NR3
NXP SemiconductorsRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant
0
  • 250:$76.3300
Bild Teil # Beschreibung
A2T21S260-12SR3

Mfr.#: A2T21S260-12SR3

OMO.#: OMO-A2T21S260-12SR3

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 65 W Avg., 28 V
A2T21S260W12NR3

Mfr.#: A2T21S260W12NR3

OMO.#: OMO-A2T21S260W12NR3

RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 56 W Avg., 28 V
A2T21S260-12SR3

Mfr.#: A2T21S260-12SR3

OMO.#: OMO-A2T21S260-12SR3-NXP-SEMICONDUCTORS

IC TRANS RF LDMOS
A2T21S260W12N

Mfr.#: A2T21S260W12N

OMO.#: OMO-A2T21S260W12N-1190

Neu und Original
A2T21S260W12NR3

Mfr.#: A2T21S260W12NR3

OMO.#: OMO-A2T21S260W12NR3-NXP-SEMICONDUCTORS

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
1000
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von A2T21S260W12NR3 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Beginnen mit
Neueste Produkte
Top