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FJNS3202RTA

FJNS3202RTA
Mfr. #:
FJNS3202RTA
Hersteller:
ON Semiconductor / Fairchild
Beschreibung:
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Epitaxial
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
FJNS3202RTA Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ON Semiconductor
Produktkategorie:
Bipolartransistoren – vorgespannt
RoHS:
Y
Aufbau:
Single
Polarität des Transistors:
NPN
Typischer Eingangswiderstand:
10 kOhms
Typisches Widerstandsverhältnis:
1
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-92-3
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
30
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
50 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
0.1 A
Spitzen-DC-Kollektorstrom:
100 mA
Pd - Verlustleistung:
300 mW
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Verpackung:
Munitionspackung
DC-Stromverstärkung hFE Max:
30
Emitter- Basisspannung VEBO:
10 V
Höhe:
3.7 mm
Länge:
4 mm
Typ:
Epitaxialer NPN-Siliziumtransistor
Breite:
2.31 mm
Marke:
ON Semiconductor / Fairchild
Produktart:
BJTs – Bipolartransistoren – Vorgespannt
Werkspackungsmenge:
3000
Unterkategorie:
Transistoren
Gewichtseinheit:
0.006286 oz
Tags
FJNS3202, FJNS320, FJNS3, FJNS, FJN
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***i-Key
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
***or
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
FJNS3202RTA
DISTI # FJNS3202RTA-ND		ON SemiconductorTRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 9000
Container: Tape & Box (TB)		Limited Supply - Call
    FJNS3202RTA
    DISTI # 512-FJNS3202RTA    		ON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Epitaxial
    RoHS: Compliant    		0
      FJNS3202RTAFairchild Semiconductor CorporationSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
      RoHS: Compliant      		2852
      • 100:$0.0100
      • 500:$0.0100
      • 1000:$0.0100
      • 1:$0.0200
      • 25:$0.0200
      Bild Teil # Beschreibung
      FJNS3214RBU

      Mfr.#: FJNS3214RBU

      OMO.#: OMO-FJNS3214RBU

      		 Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/4.7K 47K
      FJNS3212RTA

      Mfr.#: FJNS3212RTA

      OMO.#: OMO-FJNS3212RTA

      		 Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Epitaxial
      FJNS3213RBU

      Mfr.#: FJNS3213RBU

      OMO.#: OMO-FJNS3213RBU

      		 Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/2.2K 47K
      FJNS3215RTA

      Mfr.#: FJNS3215RTA

      OMO.#: OMO-FJNS3215RTA

      		 Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Si Transistor Epitaxial
      FJNS3208RBU

      Mfr.#: FJNS3208RBU

      OMO.#: OMO-FJNS3208RBU-ON-SEMICONDUCTOR

      		 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
      FJNS3209RTA

      Mfr.#: FJNS3209RTA

      OMO.#: OMO-FJNS3209RTA-ON-SEMICONDUCTOR

      		 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
      FJNS3201RBU

      Mfr.#: FJNS3201RBU

      OMO.#: OMO-FJNS3201RBU-ON-SEMICONDUCTOR

      		 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
      FJNS3201RTA

      Mfr.#: FJNS3201RTA

      OMO.#: OMO-FJNS3201RTA-ON-SEMICONDUCTOR

      		 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
      FJNS3202RTA

      Mfr.#: FJNS3202RTA

      OMO.#: OMO-FJNS3202RTA-ON-SEMICONDUCTOR

      		 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
      FJNS3210RTA

      Mfr.#: FJNS3210RTA

      OMO.#: OMO-FJNS3210RTA-ON-SEMICONDUCTOR

      		 TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      3000
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