RCJ330N25TL

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

250 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

33 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

77 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

80 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

211 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

RCJ330N25

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

ROHM Halbleiter

Abfallzeit:

140 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

200 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

120 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

50 ns

Teil # Aliase:

RCJ330N25

Gewichtseinheit:

0.077603 oz

Tags

RCJ330N, RCJ33, RCJ3, RCJ