CSD25302Q2

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

WSON-FET-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

49 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

2.6 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.4 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.75 mm

Länge:

2 mm

Serie:

CSD25302Q2

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

2 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

12.3 S

Abfallzeit:

1.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

13.2 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

8.6 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.2 ns

Tags

CSD2530, CSD253, CSD25, CSD2, CSD