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IXFH12N80P

IXFH12N80P
Mfr. #:
IXFH12N80P
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET DIODE Id12 BVdass800
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFH12N80P Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFH12N80P DatasheetIXFH12N80P Datasheet (P4-P5)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IXFH12N80P Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-247-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
800 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
12 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
850 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
360 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HiPerFET
Verpackung:
Rohr
Serie:
IXFH12N80
Transistortyp:
1 N-Channel
Marke:
IXYS
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
18 S
Abfallzeit:
25 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
26 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
70 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
23 ns
Gewichtseinheit:
0.229281 oz
Tags
IXFH12N, IXFH12, IXFH1, IXFH, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFH12N80P
DISTI # IXFH12N80P-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 800V 12A TO-247
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$4.5540
IXFH12N80P
DISTI # 747-IXFH12N80P		IXYS CorporationMOSFET DIODE Id12 BVdass800
RoHS: Compliant		0
  • 1:$5.9200
  • 10:$5.2900
  • 25:$4.6000
  • 50:$4.5100
  • 100:$4.3400
  • 250:$3.7000
  • 500:$3.5100
  • 1000:$2.9600
  • 2500:$2.5400
Bild Teil # Beschreibung
IXFH12N100F

Mfr.#: IXFH12N100F

OMO.#: OMO-IXFH12N100F

 MOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds
IXFH110N15T2

Mfr.#: IXFH110N15T2

OMO.#: OMO-IXFH110N15T2

 MOSFET 110 Amps 150V
IXFH120N25T

Mfr.#: IXFH120N25T

OMO.#: OMO-IXFH120N25T

 MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs
IXFH18N65X2

Mfr.#: IXFH18N65X2

OMO.#: OMO-IXFH18N65X2

 MOSFET 650V/18A TO-247
IXFH1388B-3

Mfr.#: IXFH1388B-3

OMO.#: OMO-IXFH1388B-3-1190

 Neu und Original
IXFH13N50

Mfr.#: IXFH13N50

OMO.#: OMO-IXFH13N50-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD
IXFH1711

Mfr.#: IXFH1711

OMO.#: OMO-IXFH1711-1190

 Neu und Original
IXFH160N15T

Mfr.#: IXFH160N15T

OMO.#: OMO-IXFH160N15T-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 150V 160A TO-247
IXFH120N25T

Mfr.#: IXFH120N25T

OMO.#: OMO-IXFH120N25T-IXYS-CORPORATION

 Darlington Transistors MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs
IXFH15N100

Mfr.#: IXFH15N100

OMO.#: OMO-IXFH15N100-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 15 Amps 1000V 0.7 Rds
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
5,92 $
5,92 $
10
5,29 $
52,90 $
25
4,60 $
115,00 $
50
4,51 $
225,50 $
100
4,34 $
434,00 $
250
3,70 $
925,00 $
500
3,51 $
1 755,00 $
1000
2,96 $
2 960,00 $
2500
2,54 $
6 350,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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