IXFH120N25T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

250 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

120 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

23 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

180 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

890 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Serie:

IXFH120N25T

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

19 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

16 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

46 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

32 ns

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IXFH120N2, IXFH120, IXFH12, IXFH1, IXFH, IXF