FDMS7606

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

Power-56-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

12 A, 22 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

11.4 mOhms, 11.6 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.1 V, 1.9 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

16 nC, 19 nC

Pd - Verlustleistung:

2.2 W, 2.5 W

Aufbau:

Dual

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

6 mm

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

5 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

53 S, 47 S

Abfallzeit:

3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Gewichtseinheit:

0.007443 oz

Tags

FDMS760, FDMS76, FDMS7, FDMS, FDM