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TH58BYG3S0HBAI4

TH58BYG3S0HBAI4
Mfr. #:
TH58BYG3S0HBAI4
Hersteller:
Toshiba Memory
Beschreibung:
NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TH58BYG3S0HBAI4 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Nand Flash
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TFBGA-63
Speichergröße:
8 Gbit
Oberflächentyp:
Parallel
Organisation:
1 G x 8
Timing-Typ:
Synchron
Datenbusbreite:
8 bit
Versorgungsspannung - Min.:
1.7 V
Versorgungsspannung - Max.:
1.95 V
Versorgungsstrom - Max.:
30 mA
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Verpackung:
Tablett
Speichertyp:
NAND
Marke:
Toshiba-Speicher
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
Nand Flash
Werkspackungsmenge:
210
Unterkategorie:
Speicher & Datenspeicherung
Tags
TH58BYG3, TH58BY, TH58B, TH58, TH5
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Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TH58BYG3S0HBAI4
DISTI # TH58BYG3S0HBAI4-ND		Toshiba Semiconductor and Storage Products8GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 1.8
RoHS: Compliant
Container: Tray		Temporarily Out of Stock
    TH58BYG3S0HBAI4
    DISTI # TH58BYG3S0HBAI4    		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash Serial 8Gbit 1.7 to 1.95V 63-Ball TFBGA - Trays (Alt: TH58BYG3S0HBAI4)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 210
    Container: Tray    		Americas - 0
    • 2100:$5.1900
    • 1260:$5.2900
    • 840:$5.4900
    • 420:$5.5900
    • 210:$5.6900
    TH58BYG3S0HBAI4_TRAY
    DISTI # TH58BYG3S0HBAI4_TRAY    		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash Memory (Alt: TH58BYG3S0HBAI4_TRAY)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1    		Europe - 0
    • 1000:€4.9900
    • 500:€5.3900
    • 100:€5.5900
    • 50:€5.7900
    • 25:€6.0900
    • 10:€6.2900
    • 1:€6.8900
    TH58BYG3S0HBAI4
    DISTI # 757-TH58BYG3S0HBAI4    		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
    RoHS: Compliant    		0
    • 210:$6.9300
    • 420:$6.7200
    • 630:$6.3900
    • 1050:$6.1700
    Bild Teil # Beschreibung
    TH58BYG3S0HBAI6

    Mfr.#: TH58BYG3S0HBAI6

    OMO.#: OMO-TH58BYG3S0HBAI6

    		 NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
    TH58BYG3S0HBAI4

    Mfr.#: TH58BYG3S0HBAI4

    OMO.#: OMO-TH58BYG3S0HBAI4

    		 NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
    TH58BYG2S3HBAI6

    Mfr.#: TH58BYG2S3HBAI6

    OMO.#: OMO-TH58BYG2S3HBAI6

    		 NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
    TH58BYG2S3HBAI6

    Mfr.#: TH58BYG2S3HBAI6

    OMO.#: OMO-TH58BYG2S3HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

    		 IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA Benand
    TH58BYG3S0HBAI6

    Mfr.#: TH58BYG3S0HBAI6

    OMO.#: OMO-TH58BYG3S0HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

    		 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V Benand
    TH58BYG2S3HBAI4

    Mfr.#: TH58BYG2S3HBAI4

    OMO.#: OMO-TH58BYG2S3HBAI4-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

    		 4G SLC NAND BGA 24NM Benand
    TH58BYG3S0HBAI4

    Mfr.#: TH58BYG3S0HBAI4

    OMO.#: OMO-TH58BYG3S0HBAI4-1190

    		 8GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 1.8
    TH58BYG2S3HBAI4-ND

    Mfr.#: TH58BYG2S3HBAI4-ND

    OMO.#: OMO-TH58BYG2S3HBAI4-ND-1190

    		 Neu und Original
    TH58BYG2S3HBAI6-ND

    Mfr.#: TH58BYG2S3HBAI6-ND

    OMO.#: OMO-TH58BYG2S3HBAI6-ND-1190

    		 Neu und Original
    TH58BYG3S0HBAI6-ND

    Mfr.#: TH58BYG3S0HBAI6-ND

    OMO.#: OMO-TH58BYG3S0HBAI6-ND-1190

    		 Neu und Original
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    Available
    Auf Bestellung:
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    8,60 $
    10
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    79,20 $
    25
    7,75 $
    193,75 $
    50
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    3 195,00 $
    1000
    6,17 $
    6 170,00 $
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