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TH58BYG3S0HBAI6

TH58BYG3S0HBAI6
Mfr. #:
TH58BYG3S0HBAI6
Hersteller:
Toshiba Memory
Beschreibung:
NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TH58BYG3S0HBAI6 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Nand Flash
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
FBGA-67
Speichergröße:
8 Gbit
Oberflächentyp:
Parallel
Organisation:
1 G x 8
Timing-Typ:
Synchron
Datenbusbreite:
8 bit
Versorgungsspannung - Min.:
1.7 V
Versorgungsspannung - Max.:
1.95 V
Versorgungsstrom - Max.:
30 mA
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Verpackung:
Tablett
Speichertyp:
NAND
Produkt:
Nand Flash
Geschwindigkeit:
25 ns
Marke:
Toshiba-Speicher
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
Nand Flash
Werkspackungsmenge:
338
Unterkategorie:
Speicher & Datenspeicherung
Tags
TH58BYG3, TH58BY, TH58B, TH58, TH5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
NAND Flash Parallel 1.8V 8G-bit 1G x 8 67-Pin VFBGA
***et
8G(4G x 2)bit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=1.7 to 1.95V
***i-Key
8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TH58BYG3S0HBAI6
DISTI # V99:2348_18843079		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash Serial 1.8V 8G-bit 1G x 8 67-Pin VFBGA147
  • 100:$5.8000
  • 50:$6.2310
  • 10:$6.4330
  • 1:$7.0270
TH58BYG3S0HBAI6
DISTI # TH58BYG3S0HBAI6-ND		Toshiba Semiconductor and Storage Products8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V
RoHS: Compliant
Min Qty: 338
Container: Tray		Temporarily Out of Stock
  • 338:$8.0750
TH58BYG3S0HBAI6
DISTI # TH58BYG3S0HBAI6		Toshiba America Electronic Components8G(4G x 2)bit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TH58BYG3S0HBAI6)
RoHS: Compliant
Min Qty: 338
Container: Tray		Americas - 0
  • 338:$7.3900
  • 676:$7.2900
  • 1352:$7.0900
  • 2028:$6.9900
  • 3380:$6.7900
TH58BYG3S0HBAI6
DISTI # 757-TH58BYG3S0HBAI6		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
RoHS: Compliant		310
  • 1:$11.8800
  • 10:$10.6900
  • 25:$9.7400
  • 100:$8.7900
  • 250:$8.0800
  • 500:$7.3700
  • 1000:$6.4200
Bild Teil # Beschreibung
THGAMRT0T43BAIR

Mfr.#: THGAMRT0T43BAIR

OMO.#: OMO-THGAMRT0T43BAIR

 eMMC 128GB eMMC 5.1 3D BiCS -25C to 85C
THGBMHT0C8LBAIG

Mfr.#: THGBMHT0C8LBAIG

OMO.#: OMO-THGBMHT0C8LBAIG

 eMMC 128GB 15nm eMMC (EEPROM)
TH58NVG5S0FTA20

Mfr.#: TH58NVG5S0FTA20

OMO.#: OMO-TH58NVG5S0FTA20

 NAND Flash 3.3V 32Gb 32nm SLC NAND (EEPROM)
TC58CYG0S3HRAIG

Mfr.#: TC58CYG0S3HRAIG

OMO.#: OMO-TC58CYG0S3HRAIG

 NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm Serial NAND
TC58BYG1S3HBAI6

Mfr.#: TC58BYG1S3HBAI6

OMO.#: OMO-TC58BYG1S3HBAI6

 NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
TC58BVG0S3HBAI6

Mfr.#: TC58BVG0S3HBAI6

OMO.#: OMO-TC58BVG0S3HBAI6

 NAND Flash 3.3V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
TC58NVG1S3EBAI5

Mfr.#: TC58NVG1S3EBAI5

OMO.#: OMO-TC58NVG1S3EBAI5

 NAND Flash 3.3V 2Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
THGAF8G8T23BAIL

Mfr.#: THGAF8G8T23BAIL

OMO.#: OMO-THGAF8G8T23BAIL

 Universal Flash Storage (UFS) 32GB 1166MB/s Gen 6 UFS 2.1
THGAF8T1T83BAIR

Mfr.#: THGAF8T1T83BAIR

OMO.#: OMO-THGAF8T1T83BAIR

 Universal Flash Storage (UFS) 256GB 1166MB/s Gen 6 UFS 2.1
TC58CYG0S3HRAIG

Mfr.#: TC58CYG0S3HRAIG

OMO.#: OMO-TC58CYG0S3HRAIG-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 SLC NAND with SPI Interface
Verfügbarkeit
Aktie:
190
Auf Bestellung:
2173
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
8,40 $
8,40 $
10
7,73 $
77,30 $
25
7,57 $
189,25 $
50
7,55 $
377,50 $
100
6,77 $
677,00 $
250
6,56 $
1 640,00 $
500
6,24 $
3 120,00 $
1000
6,02 $
6 020,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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