TC58BYG1S3HBAI6

TC58BYG1S3HBAI6
Mfr. #:
TC58BYG1S3HBAI6
Hersteller:
Toshiba Memory
Beschreibung:
NAND Flash 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TC58BYG1S3HBAI6 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TC58BYG1S3HBAI6 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
Nand Flash
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
VFBGA-67
Speichergröße:
2 Gbit
Oberflächentyp:
Parallel
Organisation:
256 M x 8
Datenbusbreite:
8 bit
Versorgungsspannung - Min.:
1.7 V
Versorgungsspannung - Max.:
1.95 V
Versorgungsstrom - Max.:
30 mA
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Verpackung:
Tablett
Speichertyp:
NAND
Marke:
Toshiba-Speicher
Maximale Taktfrequenz:
-
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
Nand Flash
Werkspackungsmenge:
338
Unterkategorie:
Speicher & Datenspeicherung
Tags
TC58BYG1, TC58BY, TC58B, TC58, TC5
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
NAND Flash Parallel 1.8V 2G-bit 256M x 8 67-Pin VFBGA
***et
2Gbit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=1.7 to 1.95V
*** Americas
2 GBIT (256M × 8 BIT) CMOS NAND E2 PROM
SLC NAND and BENAND
Toshiba SLC NAND and BENAND provide best-in-class endurance and data retention for sensitive or frequently used system data. Toshiba SLC are the optimal solution for long lasting products or systems working with extremely high data throughput between the host and the memory. 
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TC58BYG1S3HBAI6
DISTI # V99:2348_13898505
Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash Serial 1.8V 2G-bit 256M x 8 67-Pin VFBGA169
  • 100:$2.5360
  • 25:$2.6800
  • 10:$2.9210
  • 1:$3.2240
TC58BYG1S3HBAI6
DISTI # TC58BYG1S3HBAI6-ND
Toshiba Semiconductor and Storage ProductsIC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tray
676In Stock
  • 1014:$3.3121
  • 676:$3.4598
  • 338:$3.5744
  • 100:$3.5860
  • 50:$3.9456
  • 25:$3.9648
  • 10:$4.0430
  • 1:$4.4100
TC58BYG1S3HBAI6
DISTI # TC58BYG1S3HBAI6
Toshiba America Electronic Components2Gbit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TC58BYG1S3HBAI6)
RoHS: Compliant
Min Qty: 338
Container: Tray
Americas - 0
  • 338:$2.7900
  • 676:$2.7900
  • 1352:$2.7900
  • 2028:$2.6900
  • 3380:$2.5900
TC58BYG1S3HBAI6
DISTI # 757-TC58BYG1S3HBAI6
Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
RoHS: Compliant
338
  • 1:$3.7600
  • 10:$3.4200
  • 50:$3.3200
  • 100:$2.9800
  • 250:$2.9700
  • 500:$2.8600
  • 1000:$2.7200
  • 2500:$2.6900
Bild Teil # Beschreibung
TC58BYG0S3HBAI4

Mfr.#: TC58BYG0S3HBAI4

OMO.#: OMO-TC58BYG0S3HBAI4

NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
TC58BYG2S0HBAI6

Mfr.#: TC58BYG2S0HBAI6

OMO.#: OMO-TC58BYG2S0HBAI6

NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58BYG0S3HAI6

Mfr.#: TC58BYG0S3HAI6

OMO.#: OMO-TC58BYG0S3HAI6-1190

Neu und Original
TC58BYG0S8EBAIA

Mfr.#: TC58BYG0S8EBAIA

OMO.#: OMO-TC58BYG0S8EBAIA-1190

Neu und Original
TC58BYG1S3HBAI6

Mfr.#: TC58BYG1S3HBAI6

OMO.#: OMO-TC58BYG1S3HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA Benand
TC58BYG2S0HBAI6

Mfr.#: TC58BYG2S0HBAI6

OMO.#: OMO-TC58BYG2S0HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA Benand
TC58BYG1S3HBAI4

Mfr.#: TC58BYG1S3HBAI4

OMO.#: OMO-TC58BYG1S3HBAI4-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE Benand
TC58BYG1S3HBAI4_REEL

Mfr.#: TC58BYG1S3HBAI4_REEL

OMO.#: OMO-TC58BYG1S3HBAI4-REEL-1151

SLC NAND Flash Serial 1.8V 2Gbit 256M x 8Bit 63-Pin TFBGA (Alt: TC58BYG1S3HBAI4)
TC58BYG2S0HBAI4

Mfr.#: TC58BYG2S0HBAI4

OMO.#: OMO-TC58BYG2S0HBAI4-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE Benand
TC58BYG2S0HBAI6-ND

Mfr.#: TC58BYG2S0HBAI6-ND

OMO.#: OMO-TC58BYG2S0HBAI6-ND-1190

Neu und Original
Verfügbarkeit
Aktie:
338
Auf Bestellung:
2321
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von TC58BYG1S3HBAI6 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
3,42 $
3,42 $
10
3,10 $
31,00 $
25
3,03 $
75,75 $
50
3,01 $
150,50 $
100
2,70 $
270,00 $
250
2,69 $
672,50 $
500
2,59 $
1 295,00 $
1000
2,46 $
2 460,00 $
2500
2,35 $
5 875,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
Beginnen mit
Top