IPD046N08N5ATMA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DPAK-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

80 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

90 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

53 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

125 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

OptiMOS

Verpackung:

Spule

Serie:

OptiMOS 5

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

41 S

Abfallzeit:

6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

21 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Teil # Aliase:

IPD046N08N5 SP001475652

Tags

IPD04, IPD0, IPD