APT60N60BCSG

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

60 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

45 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

150 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

431 W

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

5.31 mm

Länge:

21.46 mm

Breite:

16.26 mm

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

Abfallzeit:

10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

20 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

100 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

30 ns

Gewichtseinheit:

1.340411 oz

Tags

APT60N6, APT60N, APT60, APT6, APT