SIRA00DP-T1-RE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PowerPAK-SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

830 uOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V, - 16 V

Qg - Gate-Ladung:

220 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

104 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

TrenchFET, PowerPAK

Verpackung:

Spule

Serie:

HERR

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

140 S

Abfallzeit:

11 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

14 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

67 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

18 ns

Gewichtseinheit:

0.017870 oz

Tags

SIRA00DP-T1, SIRA00DP-T, SIRA00, SIRA0, SIRA, SIR