SIHG47N60S-E3

SIHG47N60S-E3
Mfr. #:
SIHG47N60S-E3
Hersteller:
VISHAY
Beschreibung:
IGBT Transistors MOSFET N-CHANNEL 600V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SIHG47N60S-E3 Datenblatt
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller
VISHAY
Produktkategorie
IC-Chips
Tags
SIHG47N60S-E, SIHG47N60S, SIHG47N60, SIHG47N6, SIHG47, SIHG4, SIHG, SIH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
***ronik
N-CH 600V 47A 70mOhm TO247-3 RoHSconf
***ment14 APAC
MOSFET,N CH,DIODE,600V,47A,TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:47A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.057ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:417W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:47A; Power Dissipation Pd:417W; Voltage Vgs Max:20V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
SIHG47N60S-E3
DISTI # 781-SIHG47N60S-E3
Vishay IntertechnologiesMOSFET N-CHANNEL 600V
RoHS: Compliant
0
    SIHG47N60S-E3
    DISTI # 1858986
    Vishay IntertechnologiesMOSFET,N CH,DIODE,600V,47A,TO-247AC
    RoHS: Compliant
    0
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    • 500:$11.0600
    • 1000:$10.6600
    Bild Teil # Beschreibung
    SIHG47N60AEF-GE3

    Mfr.#: SIHG47N60AEF-GE3

    OMO.#: OMO-SIHG47N60AEF-GE3

    MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
    SIHG47N60AEL-GE3

    Mfr.#: SIHG47N60AEL-GE3

    OMO.#: OMO-SIHG47N60AEL-GE3

    MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
    SIHG47N60AE-GE3

    Mfr.#: SIHG47N60AE-GE3

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    MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
    SIHG47N60E-E3

    Mfr.#: SIHG47N60E-E3

    OMO.#: OMO-SIHG47N60E-E3-VISHAY

    IGBT Transistors MOSFET 600V 64mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS
    SIHG47N65E-GE3

    Mfr.#: SIHG47N65E-GE3

    OMO.#: OMO-SIHG47N65E-GE3-VISHAY

    RF Bipolar Transistors MOSFET 650V 72mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS
    SIHG47N60AEL-GE3

    Mfr.#: SIHG47N60AEL-GE3

    OMO.#: OMO-SIHG47N60AEL-GE3-VISHAY

    MOSFET N-CHAN 600V
    SIHG47N605

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    OMO.#: OMO-SIHG47N605-1190

    Neu und Original
    SIHG47N60S

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    SIHG47N65E

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    0,00 $
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