SQ2364EES-T1_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

240 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

460 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

2.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

3 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

8.8 S

Abfallzeit:

13 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

26 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns

Tags

SQ236, SQ23, SQ2