TSM3N90CZ C0G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

900 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.3 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

17 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

94 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Transistortyp:

N-Kanal Leistungs-MOSFET

Marke:

Taiwan Halbleiter

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

3 S

Abfallzeit:

31 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

25 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

63 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16 ns

Tags

TSM3N9, TSM3N, TSM3, TSM