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TGF2023-2-20

TGF2023-2-20
Mfr. #:
TGF2023-2-20
Hersteller:
Qorvo
Beschreibung:
RF JFET Transistors DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TGF2023-2-20 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TGF2023-2-20 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Qorvo
Produktkategorie:
HF-JFET-Transistoren
RoHS:
Y
Transistortyp:
HEMT
Technologie:
GaN SiC
Gewinnen:
21 dB
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
50 V
Vgs - Gate-Source-Durchbruchspannung:
145 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
1.46 A
Ausgangsleistung:
8.7 W
Maximale Drain-Gate-Spannung:
55 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Pd - Verlustleistung:
13 W
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SMD-8
Verpackung:
Spule
Arbeitsfrequenz:
30 MHz to 1200 MHz
Serie:
QPD1011
Marke:
Qorvo
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
-
Entwicklungs-Kit:
QPD1011EVB01
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
HF-JFET-Transistoren
Werkspackungsmenge:
100
Unterkategorie:
Transistoren
Teil # Aliase:
QPD1011
Tags
TGF2023-2, TGF2023, TGF202, TGF20, TGF2, TGF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, 0 to 18 GHz, 90 W, 11.1 dB, 28 V, GaN
***S
new, original packaged
GaN Solutions
Qorvo Qorvo is your smart RF partner for building solutions using gallium nitride (GaN) technology. Qorvo's is the only supplier to achieve MRL 9 using USAF MRL tool and is a “trusted” supplier with industry-leading GaN reliability. Qorvo is a world-class certified manufacturer - ISO9001, ISO14001, ISO/TS16949.Learn More
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
TGF2023 GaN HEMT Transistors
Qorvo TGF2023 GaN HEMT Transistors are discrete 1.25 to 20mm GaN on SiC HEMT which operate from DC-18 GHz. Each device is designed using Qorvo's proven 0.25um GaN production process. This process features advanced field plate techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions. These devices typically provide between 38-50.5dBm of saturated output power with power gain from 17.5dB and up to 21db at 3GHz. The maximum power added efficiency is between 52-78.3% which makes the these devices appropriate for high efficiency applications.Learn More
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TGF2023-2-20
DISTI # 772-TGF2023-2-20		QorvoRF JFET Transistors DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB
RoHS: Compliant		0
  • 50:$147.8300
Bild Teil # Beschreibung
TGF2025

Mfr.#: TGF2025

OMO.#: OMO-TGF2025

 RF JFET Transistors DC-20GHz Gain 14dB NF .9dB P1dB 24dBm
TGF2023-2-05

Mfr.#: TGF2023-2-05

OMO.#: OMO-TGF2023-2-05

 RF JFET Transistors DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB
TGF2023-2-01

Mfr.#: TGF2023-2-01

OMO.#: OMO-TGF2023-2-01-318

 RF JFET Transistors DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB
TGF2021-01

Mfr.#: TGF2021-01

OMO.#: OMO-TGF2021-01-318

 RF JFET Transistors DC-12GHz 1mm Pwr pHEMT (0.35um)
TGF2021-04-SD-T/R

Mfr.#: TGF2021-04-SD-T/R

OMO.#: OMO-TGF2021-04-SD-T-R-1190

 Neu und Original
TGF2021-04-SD.

Mfr.#: TGF2021-04-SD.

OMO.#: OMO-TGF2021-04-SD--1190

 Neu und Original
TGF2021-04-SG

Mfr.#: TGF2021-04-SG

OMO.#: OMO-TGF2021-04-SG-1152

 RF JFET Transistors 20-4000MHz Gain 12dB 12.5Volts Pwr 4 dBm
TGF2022-2

Mfr.#: TGF2022-2

OMO.#: OMO-TGF2022-2-1190

 Neu und Original
TGF2023-10

Mfr.#: TGF2023-10

OMO.#: OMO-TGF2023-10-1152

 RF JFET Transistors 10mm GaN Discrete
TGF2023-20

Mfr.#: TGF2023-20

OMO.#: OMO-TGF2023-20-1152

 RF JFET Transistors 20mm GaN Discrete
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Available
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