SQ4532AEY-T1_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7.3 A, 5.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

21 mOhms, 56 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V, 2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

5.9 nC, 7.9 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

3.3 W, 3.3 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Serie:

SQ

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

22 S, 5.5 S

Abfallzeit:

19 ns, 16 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

17 ns, 17 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

10 ns, 19 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7 ns, 6 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

SQ4532A, SQ45, SQ4