STS4DNF30L

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOIC-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

50 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

16 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.65 mm

Länge:

5 mm

Serie:

STS4DNF30L

Transistortyp:

2 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

4 mm

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

22 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

100 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

25 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

11 ns

Gewichtseinheit:

0.002998 oz

Tags

STS4DN, STS4D, STS4, STS