CSD87355Q5DT

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

LSON-CLIP-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

45 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.9 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.9 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

13.7 nC, 31.5 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

12 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

NexFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.5 mm

Länge:

6 mm

Serie:

CSD87355Q5D

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

5 mm

Marke:

Texas Instruments

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

90 S , 151 S

Abfallzeit:

3 ns, 6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

18 ns, 14 ns

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13 ns, 27 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8 ns, 10 ns

Tags

CSD87355, CSD8735, CSD873, CSD87, CSD8, CSD