BUK9606-55B,118

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

55 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

146 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.4 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

15 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

258 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Höhe:

4.5 mm

Länge:

10.3 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

9.4 mm

Marke:

Nexperia

Abfallzeit:

106 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

95 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

117 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

37 ns

Teil # Aliase:

/T3 BUK9606-55B

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