TN0604N3-G-P013

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

700 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.6 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

740 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Munitionspackung

Höhe:

5.33 mm

Länge:

5.21 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.19 mm

Marke:

Mikrochip-Technologie

Abfallzeit:

20 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

25 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Gewichtseinheit:

0.016000 oz

Tags

TN0604N3-G, TN0604N3, TN0604N, TN0604, TN060, TN06, TN0