KSB811GTA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

T

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 25 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 30 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 5 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

110 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

400

Höhe:

3.7 mm

Länge:

4 mm

Verpackung:

Munitionspackung

Breite:

2.31 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

70

Pd - Verlustleistung:

350 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.008466 oz

Tags

KSB811, KSB81, KSB8, KSB