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IXFR20N80P

IXFR20N80P
Mfr. #:
IXFR20N80P
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 10 Amps 800V 0.5 Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFR20N80P Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFR20N80P DatasheetIXFR20N80P Datasheet (P4)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
IXFR20N80P Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-247-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
800 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
10 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
570 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
166 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HiPerFET
Verpackung:
Rohr
Höhe:
21.34 mm
Länge:
16.13 mm
Serie:
IXFR20N80
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
5.21 mm
Marke:
IXYS
Abfallzeit:
25 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
24 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
70 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
22 ns
Gewichtseinheit:
0.056438 oz
Tags
IXFR20N, IXFR20, IXFR2, IXFR, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247
Electrical Vehicle DC Fast Chargers
DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFR20N80P
DISTI # IXFR20N80P-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$7.8250
IXFR20N80P
DISTI # 747-IXFR20N80P		IXYS CorporationMOSFET 10 Amps 800V 0.5 Rds
RoHS: Compliant		0
  • 1:$9.9700
  • 10:$8.9800
  • 25:$7.4700
  • 50:$6.9400
  • 100:$6.7800
  • 250:$6.2000
  • 500:$5.6500
  • 1000:$5.3900
Bild Teil # Beschreibung
IXFR200N10P

Mfr.#: IXFR200N10P

OMO.#: OMO-IXFR200N10P

 MOSFET 133 Amps 100V 0.0075 Rds
IXFR20N120P

Mfr.#: IXFR20N120P

OMO.#: OMO-IXFR20N120P

 MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds
IXFR24N100

Mfr.#: IXFR24N100

OMO.#: OMO-IXFR24N100

 MOSFET 1KV 22A
IXFR21N100Q

Mfr.#: IXFR21N100Q

OMO.#: OMO-IXFR21N100Q

 MOSFET 18 Amps 1000V 0.5 Rds
IXFR21N50Q

Mfr.#: IXFR21N50Q

OMO.#: OMO-IXFR21N50Q-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH ISOPLUS247
IXFR200N10P

Mfr.#: IXFR200N10P

OMO.#: OMO-IXFR200N10P-IXYS-CORPORATION

 Darlington Transistors MOSFET 133 Amps 100V 0.0075 Rds
IXFR26N60Q

Mfr.#: IXFR26N60Q

OMO.#: OMO-IXFR26N60Q-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 23 Amps 600V 0.25 Rds
IXFR26N50Q

Mfr.#: IXFR26N50Q

OMO.#: OMO-IXFR26N50Q-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 24 Amps 500V 0.2 Rds
IXFR24N50

Mfr.#: IXFR24N50

OMO.#: OMO-IXFR24N50-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 22 Amps 500V 0.23 Rds
IXFR20N120P

Mfr.#: IXFR20N120P

OMO.#: OMO-IXFR20N120P-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
5500
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
9,97 $
9,97 $
10
8,98 $
89,80 $
25
7,47 $
186,75 $
50
6,94 $
347,00 $
100
6,78 $
678,00 $
250
6,20 $
1 550,00 $
500
5,65 $
2 825,00 $
1000
5,39 $
5 390,00 $
2500
4,62 $
11 550,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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